Вольногорск

информационный


left
Samsung работает над накопителями с 96-слойной флэш-памятью QLC 3D V-NAND

icon user Новости науки и техники 26 июль 2018

icon comment 0 Комментариев

Samsung работает над накопителями с 96-слойной флэш-памятью QLC 3D V-NAND

Как мы сообщали в этом месяце, компания Samsung Electronics приступила к массовому производству 96-слойных микросхем флеш-памяти 3D V-NAND. Такие чипы призваны заменить существующую 64-слойную память 3D V-NAND и предложить лучшую энергоэффективность наравне с возросшей производительностью....

Читать полностью...

right