TSMC предлагает «склеивать» кремниевые пластины с помощью технологии Wafer-on-Wafer

Тайваньский полупроводниковый гигант TSMC на днях рассказал о технологии, которая в будущем позволит относительно просто удвоить число транзисторов в графических или центральных процессорах. Проект носит название Wafer-on-Wafer Technology и предусматривает непосредственное соединение двух микросхем, расположенных на разных кремниевых пластинах.

Данный метод обладает рядом преимуществ над нынешними способами связи полупроводниковых кристаллов, использующими некоторый промежуточный слой (interposer). Технология TSMC даёт возможность объединить две микросхемы напрямую, достигнув минимальных задержек при обмене информации между ними. Для вывода контактов из такого «бутерброда» предлагается использовать вертикальные электрические соединения TSV (through-silicon via).

Также стоит обратить внимание на то, что новая технология называется Wafer-on-Wafer, а не Die-on-Die. Иными словами, «склеиваться» будут сразу кремниевые пластины, а не отдельные полупроводниковые микросхемы. Эта особенность нового метода негативно сказывается на проценте выхода работоспособных чипов и ограничивает его область применения уже «обкатанными» техпроцессами. Другая потенциальная проблема заключается в росте тепловыделения, из-за чего технологию Wafer-on-Wafer изначально можно будет использовать только при производстве маломощных микросхем.

Источник www.overclockers.ua