Samsung намерена значительно увеличить объем выпуска NAND-памяти в Китае

На днях корпорация Samsung Electronics объявила о планах удвоить объём выпуска флеш-памяти типа NAND на своих мощностях в Китае. Такое заявление было сделано во время церемонии закладки фундамента второй производственной линии на полупроводниковой фабрике в городе Сиань (Xi'an), расположенном на северо-западе Поднебесной. 

Новая производственная линия позволит выпускать около 220 тыс. полупроводниковых пластин диаметром 300 мм к 2020 году. Общая сумма инвестиций превысит 7 млрд долларов в течение двух следующих лет.  

Аналитики считают, что основным мотивом увеличения инвестиций Samsung в материковый Китай является желание наладить отношения с этой страной, к слову крупнейшим импортером флеш-памяти в мире. Подобные инвестиции должны смягчить протекционистскую политику китайского правительства, которое получит дополнительные рабочие места и налоги вместе с готовым продуктом. Кроме того, с помощью данного шага Samsung диверсифицирует производственные мощности, которые в настоящий момент сконцентрированы преимущественно в Южной Корее.

Источник www.overclockers.ua