Вольногорск

информационный


icon user Виталий 22 декабрь 2017

icon comment 0 Комментариев

На предприятиях Samsung начат массовый выпуск передовых чипов DDR4 DRAM

ib-doio0rqre_8d858231.jpgКомпания Samsung Electronics объявила о начале массового производства передовых микрочипов памяти DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM, обладающих ёмкостью 8 Гбит.

Утверждается, что впервые в отрасли задействована технология 10-нанометрового класса (1y-nm) второго поколения. По сравнению с методикой первого поколения удалось добиться улучшения ключевых показателей.

В частности, новые чипы демонстрируют увеличение быстродействия приблизительно на 10 % по сравнению с изделиями аналогичной ёмкости, выполненными по технологии 10-нанометрового класса первого поколения. Скорость передачи информации повышена с 3200 до 3600 Мбит/с в расчёте на один вывод. В то же время энергетическая эффективность возросла на 15 %.

Улучшения ключевых характеристик удалось добиться за счёт внедрения новых технологий, в частности, проприетарной схемотехники.

Отмечается, что новое достижение поможет Samsung ускорить вывод на рынок чипов памяти следующего поколения. Речь, в частности, идёт об изделиях DDR5, HBM3, LPDDR5 и GDDR6. Для этих решений названа широкая сфера применения: это серверное оборудование, высокопроизводительные системы, суперкомпьютеры, мобильные устройства и графические ускорители.

Источник http://www.internetua.com/

Метки: DDR4   Samsung  

Просмотров: 8


Комментарии

Имя:

code Код:

rss vk twitter google facebook





| Важно!!! |  Городские новости |  Транспорт города |  Фотогалерея |  Справочная |  Афиша |  Интересное в мире |  Разное | Сайт місцевих садоводів |


Администрация сайта не всегда разделяет мнение авторов статей
и не несет ответственности за содержание информации, которая размещается посетителями ресурса.

Copyright © 2009-2018 https://vln.dp.ua/